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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.19 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 300 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 39 A | 最大漏源导通电阻： | 0.057 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 156 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PSMN057-200P | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS transistor |
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| PSMN057-200P | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FETProduction |
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| PSMN057-200P,127 | NXP |
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N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET TO-220 3-Pin |
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| PSMN057-200P_11 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET |
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| PSMN059-150Y | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET |
|
| PSMN059-150Y | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FETProduction |
|
| PSMN059-150Y,115 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET SOIC 4-Pin |
|
| PSMN063-150 | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode field-effect transistor |
|
| PSMN063-150D | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode field-effect transistor |
|
| PSMN063-150D,118 | NXP |
获取价格 |
PSMN063-150D - N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET DPAK 3-Pin |
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