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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.28 | 雪崩能效等级（Eas）： | 300 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 39 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.057 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 156 A | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PSMN057-200P,127 | NXP |
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N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET TO-220 3-Pin |
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| PSMN057-200P_11 | NXP |
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N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET |
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| PSMN059-150Y | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET |
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| PSMN059-150Y | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FETProduction |
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| PSMN059-150Y,115 | NXP |
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N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET SOIC 4-Pin |
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| PSMN063-150 | NXP |
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N-channel enhancement mode field-effect transistor |
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| PSMN063-150D | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode field-effect transistor |
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| PSMN063-150D,118 | NXP |
获取价格 |
PSMN063-150D - N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET DPAK 3-Pin |
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| PSMN063-150D/T3 | NXP |
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TRANSISTOR 29 A, 150 V, 0.063 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, PLASTIC, SC-63, |
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| PSMN069-100YS | NXP |
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N-channel LFPAK 100 V 72.4 mΩ standard level |
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