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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> PSMN050-80PS
PSMN050-80PS PDF预览

PSMN050-80PS

更新时间： 2024-09-14 06:05:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
14页 217K
描述
N-channel 80 V 50 mΩ standard level MOSFET

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PSMN050-80PS 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：PLASTIC, SC-46, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.81
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：18 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：80 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：22 A
最大漏极电流 (ID)：22 A最大漏源导通电阻：0.051 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：56 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：88 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PSMN050-80PS 数据手册

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PSMN050-80PS  
N-channel 80 V 50 mΩ standard level MOSFET  
Rev. 01 — 10 June 2009  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Standard level N-channel MOSFET in TO220 package qualified to 175 °C. This product is  
designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic  
equipment.  
1.2 Features and benefits  
„ High efficiency due to low switching  
„ Suitable for standard level gate drive  
and conduction losses  
sources  
„ Repetitive avalanche rated  
1.3 Applications  
„ DC-to-DC converters  
„ Load switching  
„ Motor control  
„ Server power supplies  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Symbol Parameter  
ID drain current  
Quick reference  
Conditions  
Min  
Typ  
Max Unit  
Tmb = 25 °C; VGS = 10 V;  
see Figure 1  
-
-
22  
A
Dynamic characteristics  
QGD gate-drain charge  
VGS = 10 V; ID = 25 A;  
VDS = 40 V; see Figure 14;  
see Figure 15  
-
2.3  
-
nC  
1234567...14

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