Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXBH40N160A

IXBH40N160A

更新时间： 2024-01-10 21:59:32

品牌	Logo	应用领域
IXYS		高压
页数	文件大小	规格书
4页	64K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD,

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IXBH40N160A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.66	其他特性：	HIGH VOLTAGE BIMOSFET
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	40 A
集电极-发射极最大电压：	1600 V	配置：	SINGLE
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	300 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
VCEsat-Max：	6 V	Base Number Matches：	1

IXBH40N160A 数据手册

High Voltage BIMOSFET^TM

Monolithic Bipolar

IXBH 40N140 V_CES= 1400/1600V

IXBH 40N160 I_C25= 33 A

MOS Transistor

V_CE(sat)= 6.2 V typ.

N-Channel, Enhancement Mode

t_fi

= 40 ns

TO-247 AD

C (TAB)

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

Symbol

Conditions

Maximum Ratings

Features

40N140

40N160

• Internationalstandardpackage

JEDEC TO-247 AD

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1400

1600

• HighVoltageBIMOSFET^TM

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

- replaceshighvoltageDarlingtons

and series connected MOSFETs

- lower effective R_DS(on)

• Monolithicconstruction

- highblockingvoltagecapability

- very fast turn-off characteristics

• MOS Gate turn-on

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C,

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

- drive simplicity

• Intrinsicdiode

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 22 W V_CE= 0.8•V_CESI_CM= 40

Clamped inductive load, L = 100 mH

Applications

P_C

T_C= 25°C

350

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

T_L

-55 ... +150

300

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mounting torque

• CRTdeflection

• Lampballasts

M_d

1.15/10 Nm/lb.in.

Weight

Advantages

Symbol

BV_CES

Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

• Easy to mount with 1 screw

(isolatedmountingscrewhole)

• Space savings

min. typ. max.

• High power density

I_C= 1 mA, V_GE= 0 V

I_C= 2 mA, V_CE= V_GE

40N140

40N160

1400

1600

V_GE(th)

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

400 mA

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

± 500 nA

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

6.2

7.1

7.8

T_J= 125°C

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

1 - 4

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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