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IXBL64N250

更新时间： 2024-11-18 20:56:31

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	154K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 116A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS, I5PAK-4

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IXBL64N250 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.72	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	116 A	集电极-发射极最大电压：	2500 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	25 V	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	500 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	397 ns
标称接通时间 (ton)：	632 ns	Base Number Matches：	1

IXBL64N250 数据手册

High Voltage, High Gain

BiMOSFET^TM

V_CES= 2500V

I_C110= 46A

IXBL64N250

V_CE(sat) 3.0V

Monolithic Bipolar

MOS Transistor

(Electrically Isolated Tab)

ISOPLUS i5-Pak^TM

Symbol

V_CES

Test Conditions

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1M

Continuous

Maximum Ratings

2500

±25

V_CGR

V_GES

Isolated Tab

V_GEM

I_C25

I_C110

I_CM

Transient

±35

T_C= 25°C

116

G = Gate

C = Collector

E = Emitter

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

750

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 1

I_CM= 160

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

V_CE< 0.8 • V_CES

Features

T_SC

(SCSOA)

V_GE= 15V, T_J= 125°C

R_G= 5, V_CE= 1250V, Non-Repetitive

^Silicon Chip on Direct-Copper Bond

(DCB) Substrate

μs

P_C

T_C= 25°C

500

^Isolated Mounting Surface

^2500V Electrical Isolation

^High Blocking Voltage

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

^Low Switching Losses

^High Current Handling Capability

^Anti-Parallel Diode

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10

300

260

°C

V_ISOL

F_C

50/60Hz, 1 minute

2500

30..170 / 7..36

Nm/lb-in.

Advantages

Mounting Force with Clip

^High Power Density

^Low Gate Drive Requirement

Weight

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

^Uninterrupted Power Supplies (UPS)

^Capacitor Discharge Circuits

^Laser Generators

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

2500

3.0

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 1mA, V_GE= 0V

I_C= 4mA, V_CE= V_GE

5.0

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES, V_GE= 0V

50 μA

Note 2, T_J= 125C

6 mA

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 25V

±200 nA

V_CE(sat)

I_C= 64A, V_GE= 15V, Note 1

2.5

3.1

3.0

T_J= 125C

DS100259A(5/18)

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXBN75N170	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 145A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MINIBLOC-4
IXBN75N170	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBN75N170A	IXYS	获取价格	BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBN75N170A	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
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