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Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXBN75N170A
IXBN75N170A PDF预览

IXBN75N170A

更新时间： 2024-09-27 03:14:47
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IXYS 晶体双极型晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 92K
描述
BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

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IXBN75N170A 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Transferred
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4针数：4
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.67
Is Samacsys：N其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：75 A
集电极-发射极最大电压：1700 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：R-PUFM-X4元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Nickel (Ni)
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：595 ns
标称接通时间 (ton)：65 nsBase Number Matches：1

IXBN75N170A 数据手册

 浏览型号IXBN75N170A的Datasheet PDF文件第2页 
Advance Technical Information  
BIMOSFETTM Monolithic  
Bipolar MOS Transistor  
VCES = 1700 V  
IXBN 75N170A  
IC25  
VCE(sat) = 6.0 V  
tfi = 60 ns  
= 75 A  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
miniBLOC,SOT-227B(IXBN)  
E153432  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ  
1700  
1700  
V
V
E
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
IC25  
IC90  
ICM  
TC = 25°C  
TC = 90°C  
TC = 25°C, 1 ms  
75  
42  
240  
A
A
A
SSOA  
V
= 15 V, TVJ = 125°C, RG = 10 Ω  
ICM  
=
=
100  
A
V
CGlaEmped inductive load  
VCES  
1350  
G = Gate  
C = Collector  
(RBSOA)  
E = Emitter  
TSC  
V
= 15 V, V  
= 1200V, TJ = 125°C  
RGGE= 10 Ω noCnESrepetitive  
TC = 25°C  
10  
µs  
Either Source terminal at miniBLOC can be used  
(SCSOA)  
as Main or Kelvin Emitter  
PC  
500  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
Features  
Md  
Mounting torque  
1.5/13 Nm/lb.in.  
1.5/13 Nm/lb.in.  
z
Terminal connection torque (M4)  
High Blocking Voltage  
Fast switching  
High current handling capability  
MOS Gate turn-on  
- drive simplicity  
z
Weight  
30  
g
z
z
z
Isolation voltage 2500V  
Applications  
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
z
AC motor speed control  
min. typ. max.  
z
Uninterruptible power supplies (UPS)  
z
Switched-mode and resonant-mode  
power supplies  
BVCES  
VGE(th)  
I
= 250 µA, VGE = 0 V  
1700  
2.5  
V
V
ICC = 1500 µA, VCE = VGE  
5.5  
z
Substitutes for high voltage MOSFETs  
ICES  
VCE = 0.8 VCES  
VGE = 0 V  
T = 25°C  
TJJ = 125°C  
50 µA  
Advantages  
1.5 mA  
z
Lower conduction losses than MOSFETs  
IGES  
VCE = 0 V, VGE = ±20 V  
±200 nA  
z
High power density  
z
VCE(sat)  
IC = IC90, VGE = 15 V  
4.5  
5.0  
6.0  
V
V
Easy to mount with 2 screws  
Space saving  
z
TJ = 125°C  
98938 (7/02)  
© 2002 IXYS All rights reserved  
12

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