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IXBOD1-10

更新时间: 2024-11-17 22:05:11
品牌 Logo 应用领域
IXYS 二极管击穿二极管
页数 文件大小 规格书
8页 254K
描述
Breakover Diodes

IXBOD1-10 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T2
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:2.22最大转折电压:1000 V
最小转折电压:950 V配置:SINGLE
最大维持电流:30 mA标称维持电流:30 mA
JESD-30 代码:R-PSIP-T2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
子类别:Breakover Diodes表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED触发设备类型:RVS BLOCKING BOD
Base Number Matches:1

IXBOD1-10 数据手册

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Breakover Diodes  
Applications  
l
Transient voltage protection  
High-voltage switches  
Crowbar  
Lasers  
l
l
l
l
Pulse generators  
i
IH  
IBO  
V
VBO  
VH  
Application Note H - 6  
Remark: For special selection of more than 2 pieces IXBOD 1-... for every  
break down voltage of VBO > 2000 V please contact us.  
© 2000 IXYS All rights reserved  
H - 1  

IXBOD1-10 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXBOD1-06 IXYS

完全替代

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