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IXBN42N170A

更新时间： 2024-11-18 21:21:47

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力特 - LITTELFUSE		栅
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7页	201K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

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IXBN42N170A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.29
Base Number Matches：	1

IXBN42N170A 数据手册

Preliminary Technical Information

High Voltage, High Gain

V_CES= 1700V

I_C90= 21A

V_CE(sat)≤ 6.0V

IXBN42N170A

BIMOSFET^TMMonolithic

Bipolar MOS Transistor

t_fi

= 20ns

SOT-227B, miniBLOC

E153432

E c

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_C= 25°C to 150°C

1700

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

E c

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1ms

265

G = Gate, C = Collector, E = Emitter

either emitter terminal can be used as

Main or Kelvin Emitter

SSOA

(RBSOA)

_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 10Ω

I_CM= 84

1360

Clamped Inductive Load

T_SC

(SCSOA)

V_GE= 15 V, V_CES= 1200V, T_J= 125°C

R_G= 10Ω, non repetitive

μs

Features

P_C

T_C= 25°C

313

T_J

-55 ... +150

150

°C

^zInternational Standard Package

^zminiBLOC, with Aluminium Nitride

Isolation

T_JM

T_stg

-55 ... +150

^zSquare RBSOA

V_ISOL

50/60Hz

I_ISOL≤ 1mA

t = 1min

t = 1s

2500

3000

^z2500V~ Isolation Voltage

High Blocking Voltage

M_d

Mounting Torque

Terminal Connection Torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in.

^zInternational Standard Package

^zAnti-Parallel Diode

Weight

^zLow Conduction Losses

Advantages

^zLow Gate Drive Requirement

^zHigh Power Density

Symbol Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 750μA, V_CE= V_GE

1700

2.5

5.5

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES, V_GE= 0V

50 μA

1.5 mA

^zUninterruptible Power Supplies (UPS)

^zAC Motor Drives

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

±100 nA

^zCapacitor Discharge Circuits

^zAC Switches

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15V, Note 1

5.2

5.3

6.0

T_J= 125°C

DS98933A(11/12)

12 3 4 5 6 7

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