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IXBN75N170

更新时间： 2024-11-06 14:56:47

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力特 - LITTELFUSE		双极性晶体管高压二极管
页数	文件大小	规格书
6页	201K
描述
BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMOSFET大获成功。这种高压器件是并联的理想选择，因为饱和电压和本征二极管的正向压降均具有正电压温度系数。

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IXBN75N170 数据手册

Preliminary Technical Information

BiMOSFET^TMMonolithic

Bipolar MOS Transistor

V_CES= 1700V

I_C90= 75A

IXBN75N170

V_CE(sat)≤ 3.1V

SOT-227B, miniBLOC

E153432

Symbol

V_CES

Test Conditions

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

Continuous

Maximum Ratings

E c

1700

±20

V_CGR

V_GES

V_GEM

Transient

±30

E c

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

145

T_C= 90°C

G = Gate, C = Collector, E = Emitter

T_C= 25°C, 1ms

680

either emitter terminal can be used as

Main or Kelvin Emitter

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 1Ω

I_CM= 150

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

V_CE< 0.8 • V_CES

P_C

T_C= 25°C

625

Features

T_J

-55 ... +150

150

°C

^zInternational Standard Package

^zHigh Blocking Voltage

^zIsolation Voltage 3000 V~

^zHigh Current Handling Capability

^zAnti-Parallel Diode

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10

300

260

°C

V_ISOL

M_d

50/60Hz

I_ISOL≤ 1mA

t = 1min

t = 1s

2500

3000

Advantages

Mounting Torque

Terminal Connection Torque (M4)

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in.

^zHigh Power Density

^zLow Gate Drive Requirement

^zEasy to Mount with 2 Screws

^zIntergrated Diode Can Be Used for

Protection

Weight

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1700

2.5

Typ.

Max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250μA, V_GE= 0V

^zCapacitor Discharge

^zAC Switches

I_C= 1.5mA, V_CE= V_GE

5.5

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES, V_GE= 0V

25 μA

^zUPS

T_J= 125°C

2 mA

^zAC Motor Drives

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15V, Note 1

2.6

3.1

DS100168A(10/09)

12 3 4 5 6

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