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IXBOD1-08

更新时间: 2024-11-17 22:05:11
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IXYS 触发装置二极管击穿二极管
页数 文件大小 规格书
8页 254K
描述
Breakover Diodes

IXBOD1-08 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T2
Reach Compliance Code:not_compliantHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:2.25Is Samacsys:N
最大转折电压:800 V最小转折电压:750 V
配置:SINGLE最大维持电流:30 mA
标称维持电流:30 mAJESD-30 代码:R-PSIP-T2
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
子类别:Breakover Diodes表面贴装:NO
端子面层:Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
触发设备类型:RVS BLOCKING BODBase Number Matches:1

IXBOD1-08 数据手册

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Breakover Diodes  
Applications  
l
Transient voltage protection  
High-voltage switches  
Crowbar  
Lasers  
l
l
l
l
Pulse generators  
i
IH  
IBO  
V
VBO  
VH  
Application Note H - 6  
Remark: For special selection of more than 2 pieces IXBOD 1-... for every  
break down voltage of VBO > 2000 V please contact us.  
© 2000 IXYS All rights reserved  
H - 1  

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