Datasheet > IXBN75N170

IXBN75N170

更新时间： 2024-02-02 14:28:25

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	168K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 145A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MINIBLOC-4

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXBN75N170 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.67
Is Samacsys：	N	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	75 A
集电极-发射极最大电压：	1700 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：	R-PUFM-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Nickel (Ni)
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	595 ns
标称接通时间 (ton)：	65 ns	Base Number Matches：	1

IXBN75N170 数据手册

Preliminary Technical Information

BiMOSFET^TMMonolithic

Bipolar MOS Transistor

V_CES= 1700V

I_C90= 75A

IXBN75N170

V_CE(sat)≤ 3.1V

SOT-227B, miniBLOC

E153432

Symbol

V_CES

Test Conditions

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

Continuous

Maximum Ratings

E c

1700

±20

V_CGR

V_GES

V_GEM

Transient

±30

E c

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

145

T_C= 90°C

G = Gate, C = Collector, E = Emitter

T_C= 25°C, 1ms

680

either emitter terminal can be used as

Main or Kelvin Emitter

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 1Ω

I_CM= 150

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

V_CE< 0.8 • V_CES

P_C

T_C= 25°C

625

Features

T_J

-55 ... +150

150

°C

^zInternational Standard Package

^zHigh Blocking Voltage

^zIsolation Voltage 3000 V~

^zHigh Current Handling Capability

^zAnti-Parallel Diode

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10

300

260

°C

V_ISOL

M_d

50/60Hz

I_ISOL≤ 1mA

t = 1min

t = 1s

2500

3000

Advantages

Mounting Torque

Terminal Connection Torque (M4)

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in.

^zHigh Power Density

^zLow Gate Drive Requirement

^zEasy to Mount with 2 Screws

^zIntergrated Diode Can Be Used for

Protection

Weight

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1700

2.5

Typ.

Max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250μA, V_GE= 0V

^zCapacitor Discharge

^zAC Switches

I_C= 1.5mA, V_CE= V_GE

5.5

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES, V_GE= 0V

25 μA

^zUPS

T_J= 125°C

2 mA

^zAC Motor Drives

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15V, Note 1

2.6

3.1

DS100168A(10/09)

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与IXBN75N170相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXBN75N170A	IXYS	获取价格	BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBN75N170A	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBOD1-06	IXYS	获取价格	Breakover Diodes
IXBOD1-06	LITTELFUSE	获取价格	Breakover Gen1系列提供各种电压范围的转折二极管，具有快速导通特性、低温度依赖
IXBOD1-07	IXYS	获取价格	Breakover Diodes
IXBOD1-07	LITTELFUSE	获取价格	Breakover Gen1系列提供各种电压范围的转折二极管，具有快速导通特性、低温度依赖
IXBOD1-07SN	IXYS	获取价格	Silicon Surge Protector, 650V V(BO) Max,
IXBOD1-08	IXYS	获取价格	Breakover Diodes
IXBOD1-08	LITTELFUSE	获取价格	Breakover Gen1系列提供各种电压范围的转折二极管，具有快速导通特性、低温度依赖
IXBOD1-09	IXYS	获取价格	Breakover Diodes

与IXBN75N170相关文章

L6234手册解读：引脚信息、电气参数
2024-07-01

1
解读BSP135H6327资料：电气参数及替换型号推荐
2024-07-01

1
FDG6302P资料解析：电气参数、产品特性
2024-07-01

3
SBAV99WT1G资料手册：参数信息、产品特性、替代型号推荐
2024-07-01

2

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXBN75N170

IXBN75N170 技术参数

IXBN75N170 数据手册

与IXBN75N170相关器件

与IXBN75N170相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXBN75N170

IXBN75N170 技术参数

IXBN75N170 数据手册

与IXBN75N170相关器件

与IXBN75N170相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？