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IXBN75N170

更新时间： 2024-11-18 19:49:43

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IXYS		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	168K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 145A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MINIBLOC-4

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IXBN75N170 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	8.44	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	145 A
集电极-发射极最大电压：	1700 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-PUFM-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	625 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Nickel (Ni)
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	840 ns
标称接通时间 (ton)：	277 ns	Base Number Matches：	1

IXBN75N170 数据手册

Preliminary Technical Information

BiMOSFET^TMMonolithic

Bipolar MOS Transistor

V_CES= 1700V

I_C90= 75A

IXBN75N170

V_CE(sat)≤ 3.1V

SOT-227B, miniBLOC

E153432

Symbol

V_CES

Test Conditions

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

Continuous

Maximum Ratings

E c

1700

±20

V_CGR

V_GES

V_GEM

Transient

±30

E c

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

145

T_C= 90°C

G = Gate, C = Collector, E = Emitter

T_C= 25°C, 1ms

680

either emitter terminal can be used as

Main or Kelvin Emitter

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 1Ω

I_CM= 150

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

V_CE< 0.8 • V_CES

P_C

T_C= 25°C

625

Features

T_J

-55 ... +150

150

°C

^zInternational Standard Package

^zHigh Blocking Voltage

^zIsolation Voltage 3000 V~

^zHigh Current Handling Capability

^zAnti-Parallel Diode

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10

300

260

°C

V_ISOL

M_d

50/60Hz

I_ISOL≤ 1mA

t = 1min

t = 1s

2500

3000

Advantages

Mounting Torque

Terminal Connection Torque (M4)

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in.

^zHigh Power Density

^zLow Gate Drive Requirement

^zEasy to Mount with 2 Screws

^zIntergrated Diode Can Be Used for

Protection

Weight

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1700

2.5

Typ.

Max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250μA, V_GE= 0V

^zCapacitor Discharge

^zAC Switches

I_C= 1.5mA, V_CE= V_GE

5.5

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES, V_GE= 0V

25 μA

^zUPS

T_J= 125°C

2 mA

^zAC Motor Drives

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15V, Note 1

2.6

3.1

DS100168A(10/09)

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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