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IXBN42N170A

更新时间： 2024-11-18 19:09:47

品牌	Logo	应用领域
IXYS		栅
页数	文件大小	规格书
6页	199K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 42A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MINIBLOC-4

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IXBN42N170A 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	MINIBLOC-4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	8.49
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	42 A
集电极-发射极最大电压：	1700 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-PUFM-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	312 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Nickel (Ni)
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	420 ns
标称接通时间 (ton)：	63 ns	Base Number Matches：	1

IXBN42N170A 数据手册

Preliminary Technical Information

High Voltage, High Gain

V_CES= 1700V

I_C90= 21A

V_CE(sat)≤ 6.0V

IXBN42N170A

BIMOSFET^TMMonolithic

Bipolar MOS Transistor

t_fi

= 20ns

SOT-227B, miniBLOC

E153432

E c

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_C= 25°C to 150°C

1700

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

E c

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1ms

265

G = Gate, C = Collector, E = Emitter

either emitter terminal can be used as

Main or Kelvin Emitter

SSOA

(RBSOA)

_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 10Ω

I_CM= 84

1360

Clamped Inductive Load

T_SC

(SCSOA)

V_GE= 15 V, V_CES= 1200V, T_J= 125°C

R_G= 10Ω, non repetitive

μs

Features

P_C

T_C= 25°C

313

T_J

-55 ... +150

150

°C

^zInternational Standard Package

^zminiBLOC, with Aluminium Nitride

Isolation

T_JM

T_stg

-55 ... +150

^zSquare RBSOA

V_ISOL

50/60Hz

I_ISOL≤ 1mA

t = 1min

t = 1s

2500

3000

^z2500V~ Isolation Voltage

High Blocking Voltage

M_d

Mounting Torque

Terminal Connection Torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in.

^zInternational Standard Package

^zAnti-Parallel Diode

Weight

^zLow Conduction Losses

Advantages

^zLow Gate Drive Requirement

^zHigh Power Density

Symbol Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 750μA, V_CE= V_GE

1700

2.5

5.5

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES, V_GE= 0V

50 μA

1.5 mA

^zUninterruptible Power Supplies (UPS)

^zAC Motor Drives

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

±100 nA

^zCapacitor Discharge Circuits

^zAC Switches

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15V, Note 1

5.2

5.3

6.0

T_J= 125°C

DS98933A(11/12)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXBN75N170A	IXYS	获取价格	BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBN75N170A	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
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