Datasheet > IXBH9N160G

IXBH9N160G

更新时间： 2024-11-19 14:56:51

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		双极性晶体管高压二极管
页数	文件大小	规格书
5页	202K
描述
BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMOSFET大获成功。这种高压器件是并联的理想选择，因为饱和电压和本征二极管的正向压降均具有正电压温度系数。

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXBH9N160G 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	2.07
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	9 A
集电极-发射极最大电压：	1600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	100 W	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	190 ns	标称接通时间 (ton)：	340 ns
VCEsat-Max：	7 V	Base Number Matches：	1

IXBH9N160G 数据手册

High Voltage BiMOSFET^TM

Monolithic Bipolar

MOS Transistor

V_CES= 1600V

I_C25= 9A

V_CE(sat) 7.0V

t_fi(typ)= 70ns

IXBH9N160G

N-Channel, Enhancement Mode

MOSFET Transistor

TO-247

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

Tab

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1600

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1M

G = Gate

E = Emitter

Collector

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

Tab = Collector

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1ms

Features



SSOA

(RBSOA)

V_GE= 10V, T_VJ= 125°C, R_G= 27

I_CM= 12

1280

High Voltage Package

Clamped Inductive Load

- Replaces High Voltage Darlingtons

and Series Connected MOSFETs

P_C

T_C= 25°C

100

- Lower Effective R_DSON

MOS Gate turn-on

- Drive Simplicity

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

°C



-55 ... +150

- MOSFET Compatible for 10V turn

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

on Gate Voltage

Monolithic construction

- High Blocking Voltage Capability



M_d

Mounting Torque

1.13/10

Nm/lb.in.

- Very Fast turn-off Characteristics

International Standard Package

- Reverse Conducting Capability

Weight

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1600

3.5

Typ.

Max.



Low Gate Drive Requirement

High Power Density

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 500A, V_CE= V_GE

V_CE= 0.8 • V_CES, V_GE= 0V



5.5

Applications

100 A

A



T_J= 125C

100

Flyback Converters

DC Choppers

Uninterruptible Power Supplies (UPS)

Switched-Mode & Resonant-Mode

Power Supplies



I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

500 nA



V_CE(sat)

I_C= 5A, V_GE= 15V, Note 1

4.9

5.6

7.0



CRT Deflection

Lamp Ballasts

DS100970A(5/19)

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与IXBH9N160G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXBJ40N140	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1.4KV V(BR)CES \| 33A I(C) \| TO-268
IXBJ40N160	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1.6KV V(BR)CES \| 33A I(C) \| TO-268
IXBK55N300	IXYS	获取价格	High Voltage, High Gain BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBK64N250	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXBK64N250	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA, TO-264,
IXBK75N170	IXYS	获取价格	IGBT 1700V 200A 1040W TO264
IXBK75N170	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBK75N170A	IXYS	获取价格	BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBL60N360	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBL64N250	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 116A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS, I5PAK-4

与IXBH9N160G相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXBH9N160G

IXBH9N160G 技术参数

IXBH9N160G 数据手册

与IXBH9N160G相关器件

与IXBH9N160G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXBH9N160G

IXBH9N160G 技术参数

IXBH9N160G 数据手册

与IXBH9N160G相关器件

与IXBH9N160G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？