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IXBH5N160G

更新时间： 2024-11-05 20:06:07

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力特 - LITTELFUSE		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	78K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

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IXBH5N160G 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.72
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

IXBH5N160G 数据手册

IXBP 5N160 G

IXBH 5N160 G

I_C25

= 5.7 A

High Voltage

BIMOSFET^TM

V_CES= 1600 V

V_CE(sat)= 4.9 V

t_f

= 70 ns

Monolithic Bipolar MOS Transistor

TO-220 AB (IXBP)

Preliminary data sheet

C (TAB)

TO-247 AD (IXBH)

C (TAB)

A = Anode, C = Cathode , TAB = Cathode

IGBT

Features

• High Voltage BIMOSFET^TM

- substitute for high voltage MOSFETs

with significantly lower voltage drop

- MOSFET compatible control

10 V turn on gate voltage

- fast switching for high frequency

operation

Symbol

V_CES

Conditions

Maximum Ratings

T_VJ= 25°C to 150°C

1600

V_GES

I_C25

I_C90

T_C= 25°C

T_C= 90°C

5.7

3.5

- reverse conduction capability

• industry standard package

- TO-220AB

10/0

I_CM

V_CEK

V_GE

V; R_G= 47 Ω; T_VJ= 125°C

RBSOA, Clamped inductive load; L = 100 µH

0.8V_CES

- TO-247AD

P_tot

T_C= 25°C

epoxy meets UL94V-0

Symbol

Conditions

Characteristic Values

(T_VJ= 25°C, unless otherwise specified)

Applications

• switched mode power supplies

• DC-DC converters

min.

typ. max.

V_CE(sat)

I_C= 3 A; V_GE= 15 V; T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

4.9

5.6

7.2

• resonant converters

• lamp ballasts

• laser generators, x ray generators

V_GE(th)

I_CES

I_C= 0.3 mA; V_GE= V_CE

3.5

5.5

V_GE= 0 V; V_CE= V_CES

;

T_VJ= 25°C

150 µA

µA

V_CE= 0.8V_CES; T_VJ= 125°C

I_GES

V_CE= 0 V; V_GE

20 V

100 nA

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

140

200

120

Inductive load, T_VJ= 125°C

V_CE= 960 V; I_C= 3 A

10/0

V_GE

V; R_G= 47 Ω

C_ies

Q_Gon

V_CE= 25 V; V_GE= 0 V; f = 1 MHz

V_CE= 600V; V_GE= 10 V; I_C= 3 A

325

V_F

(reverse conduction); I_F= 3 A

R_thJC

1.85 K/W

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

1 - 2

IXYS Semiconductor GmbH

IXYS Corporation

Edisonstr. 15,

Phone: +49-6206-503-0, Fax: +49-6206-503627

D-68623 Lampertheim

3540 Bassett Street, Santa Clara CA 95054

Phone: (408) 982-0700, Fax: 408-496-0670

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXBH6N170	IXYS	获取价格	High Voltage, High Gain BIMOSFET⑩ Monolithic
IXBH6N170	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBH9N140	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1.4KV V(BR)CES \| 9A I(C) \| TO-247AD
IXBH9N140G	IXYS	获取价格	High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBH9N160	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1.6KV V(BR)CES \| 9A I(C) \| TO-247AD
IXBH9N160G	IXYS	获取价格	High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBH9N160G	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBJ40N140	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1.4KV V(BR)CES \| 33A I(C) \| TO-268
IXBJ40N160	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1.6KV V(BR)CES \| 33A I(C) \| TO-268
IXBK55N300	IXYS	获取价格	High Voltage, High Gain BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor

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