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IXBK64N250

更新时间： 2024-11-05 19:59:35
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 局域网栅瞄准线功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 193K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

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IXBK64N250 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.66
Base Number Matches：1

IXBK64N250 数据手册

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High Voltage, High Gain  
BiMOSFETTM  
VCES = 2500V  
IC110 = 64A  
VCE(sat) ≤ 3.0V  
IXBK64N250  
IXBX64N250  
Monolithic Bipolar  
MOS Transistor  
TO-264 (IXBK)  
G
C
E
Symbol  
VCES  
Test Conditions  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ  
Continuous  
Maximum Ratings  
2500  
2500  
±25  
V
V
V
V
Tab  
VCGR  
PLUS247TM (IXBX)  
VGES  
VGEM  
Transient  
±35  
IC25  
TC = 25°C (Chip Capability)  
Lead Current Limit, RMS  
TC = 110°C  
156  
120  
64  
A
A
A
A
ILRMS  
IC100  
ICM  
G
C
E
Tab  
TC = 25°C, 1ms  
600  
SSOA  
VGE= 15V, TVJ = 125°C, RG = 1Ω  
ICM = 160  
A
G = Gate  
E = Emitter  
C
= Collector  
(RBSOA)  
Clamped Inductive Load  
VCE < 0.8 • VCES  
Tab = Collector  
TSC  
VGE = 15V, TJ = 125°C,  
(SCSOA)  
RG = 5Ω, VCE = 1250V, Non-Repetitive  
10  
μs  
PC  
TC = 25°C  
735  
W
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
Features  
TJM  
Tstg  
z High Blocking Voltage  
z Low Switching Losses  
z High Current Handling Capability  
z Anti-Parallel Diode  
-55 ... +150  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10  
300  
260  
°C  
°C  
Md  
FC  
Mounting Torque (TO-264 )  
Mounting Force (PLUS247 )  
1.13/10  
20..120/4.5..27  
Nm/lb.in.  
N/lb.  
Advantages  
Weight  
TO-264  
PLUS247  
10  
6
g
g
z High Power Density  
z Low Gate Drive Requirement  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
2500  
3.0  
Typ.  
Max.  
Applications  
BVCES  
VGE(th)  
IC = 1mA, VGE = 0V  
IC = 4mA, VCE = VGE  
V
V
z Switch-Mode and Resonant-Mode  
Power Supplies  
z Uninterrupted Power Supplies (UPS)  
z Capacitor Discharge Circuits  
z Laser Generators  
5.0  
ICES  
VCE = 0.8 • VCES, VGE = 0V  
50 μA  
TJ = 125°C  
6 mA  
IGES  
VCE = 0V, VGE = ± 25V  
±200 nA  
VCE(sat)  
IC = IC110, VGE = 15V, Note 1  
2.5  
3.1  
3.0  
V
V
TJ = 125°C  
DS99832B(08/11)  
© 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXBK75N170 IXYS

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IXBK75N170 LITTELFUSE

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