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IXBK64N250

更新时间： 2024-11-05 21:18:39

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网栅瞄准线功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	192K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA, TO-264, 3 PIN

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IXBK64N250 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-264AA	包装说明：	TO-264, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.71	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	75 A
集电极-发射极最大电压：	2500 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	25 V
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	735 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	397 ns
标称接通时间 (ton)：	632 ns	Base Number Matches：	1

IXBK64N250 数据手册

High Voltage, High Gain

BiMOSFET^TM

V_CES= 2500V

I_C110= 64A

V_CE(sat)≤ 3.0V

IXBK64N250

IXBX64N250

Monolithic Bipolar

MOS Transistor

TO-264 (IXBK)

Symbol

V_CES

Test Conditions

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

Continuous

Maximum Ratings

2500

±25

Tab

V_CGR

PLUS247^TM(IXBX)

V_GES

V_GEM

Transient

±35

I_C25

T_C= 25°C (Chip Capability)

Lead Current Limit, RMS

T_C= 110°C

156

120

I_LRMS

I_C100

I_CM

Tab

T_C= 25°C, 1ms

600

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 1Ω

I_CM= 160

G = Gate

E = Emitter

= Collector

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

V_CE< 0.8 • V_CES

Tab = Collector

T_SC

V_GE= 15V, T_J= 125°C,

(SCSOA)

R_G= 5Ω, V_CE= 1250V, Non-Repetitive

μs

P_C

T_C= 25°C

735

T_J

-55 ... +150

150

°C

Features

T_JM

T_stg

^zHigh Blocking Voltage

^zLow Switching Losses

^zHigh Current Handling Capability

^zAnti-Parallel Diode

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10

300

260

°C

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264 )

Mounting Force (PLUS247 )

1.13/10

20..120/4.5..27

Nm/lb.in.

N/lb.

Advantages

Weight

TO-264

PLUS247

^zHigh Power Density

^zLow Gate Drive Requirement

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

2500

3.0

Typ.

Max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 1mA, V_GE= 0V

I_C= 4mA, V_CE= V_GE

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

^zUninterrupted Power Supplies (UPS)

^zCapacitor Discharge Circuits

^zLaser Generators

5.0

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES, V_GE= 0V

50 μA

T_J= 125°C

6 mA

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 25V

±200 nA

V_CE(sat)

I_C= I_C110, V_GE= 15V, Note 1

2.5

3.1

3.0

T_J= 125°C

DS99832B(08/11)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXBK75N170	IXYS	获取价格	IGBT 1700V 200A 1040W TO264
IXBK75N170	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBK75N170A	IXYS	获取价格	BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBL60N360	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBL64N250	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 116A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS, I5PAK-4
IXBN42N170A	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 42A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MINIBLOC-4
IXBN42N170A	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXBN75N170	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 145A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MINIBLOC-4
IXBN75N170	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBN75N170A	IXYS	获取价格	BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

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