是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Transferred |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 3.41 |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 9 A |
集电极-发射极最大电压: | 1600 V | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
JEDEC-95代码: | TO-247AD | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | POWER CONTROL | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称断开时间 (toff): | 190 ns | 标称接通时间 (ton): | 340 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXBJ40N140 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.4KV V(BR)CES | 33A I(C) | TO-268 | |
IXBJ40N160 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.6KV V(BR)CES | 33A I(C) | TO-268 | |
IXBK55N300 | IXYS |
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High Voltage, High Gain BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor | |
IXBK64N250 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, | |
IXBK64N250 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA, TO-264, | |
IXBK75N170 | IXYS |
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IGBT 1700V 200A 1040W TO264 | |
IXBK75N170 | LITTELFUSE |
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BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。 凭借非外延结构和新的制造工艺,BiMO | |
IXBK75N170A | IXYS |
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BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor | |
IXBL60N360 | LITTELFUSE |
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BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。 凭借非外延结构和新的制造工艺,BiMO | |
IXBL64N250 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 116A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS, I5PAK-4 |