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IXBH9N160G

更新时间： 2024-02-14 12:00:29

品牌	Logo	应用领域
IXYS		晶体双极型晶体管高压
页数	文件大小	规格书
4页	66K
描述
High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

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IXBH9N160G 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	2.07
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	9 A
集电极-发射极最大电压：	1600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	100 W	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	190 ns	标称接通时间 (ton)：	340 ns
VCEsat-Max：	7 V	Base Number Matches：	1

IXBH9N160G 数据手册

HighVoltage BIMOSFET^TM

Monolithic Bipolar

MOSTransistor

IXBH 9N140G V_CES= 1400/1600V

IXBH 9N160G I_C25= 9 A

V_CE(sat)= 4.9 V typ.

t_fi

= 70 ns

N-Channel, Enhancement Mode

MOSFET compatible

TO-247 AD

C (TAB)

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

Preliminary Data

Symbol

Conditions

Maximum Ratings

9N140G 9N160G

Features

• High Voltage BIMOSFET^TM

- replaces high voltage Darlingtons

and series connected MOSFETs

- lower effective R_DS(on)

• MOS Gate turn-on

- drive simplicity

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1400

1600

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

- MOSFET compatible for 10V

turn on gate voltage

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C,

T_C= 90°C

• Monolithic construction

- high blocking voltage capability

- very fast turn-off characteristics

• International standard package

JEDEC TO-247 AD

T_C= 25°C, 1 ms

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 10 V, T_VJ= 125°C, R_G= 27 Ω V_CE= 0.8•V_CESI_CM= 12

Clamped inductive load, L = 100 µH

• Reverse conducting capability

P_C

T_C= 25°C

100

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

T_L

Applications

-55 ... +150

300

• Flyback converters

• DC choppers

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mounting torque

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

M_d

1.15/10 Nm/lb.in.

Weight

• CRTdeflection

• Lampballasts

Symbol

BV_CES

Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Advantages

I_C= 0.25 mA, V_GE= 0 V 9N140G

9N160G

1400

1600

• Easy to mount with 1 screw

(isolatedmountingscrewhole)

• Space savings

V_GE(th)

I_CES

I_C= 0.5 mA, V_CE= V_GE

3.5

5.5

• High power density

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

100 µA

0.1

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

± 500 nA

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

4.9

5.6

T_J= 125°C

IXYS Semiconductor GmbH

1 - 4

IXYS Corporation

Edisonstr. 15,

Phone: +49-6206-503-0, Fax: +49-6206-503627

D-68623 Lampertheim

3540 Bassett Street, Santa Clara CA 95054

Phone: (408) 982-0700, Fax: 408-496-0670

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXBJ40N140	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1.4KV V(BR)CES \| 33A I(C) \| TO-268
IXBJ40N160	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1.6KV V(BR)CES \| 33A I(C) \| TO-268
IXBK55N300	IXYS	获取价格	High Voltage, High Gain BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
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IXBK75N170A	IXYS	获取价格	BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBL60N360	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
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