型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXBH42N170A | IXYS |
获取价格 |
BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor | |
IXBH42N170A | LITTELFUSE |
获取价格 |
BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。 凭借非外延结构和新的制造工艺,BiMO | |
IXBH42N250 | LITTELFUSE |
获取价格 |
BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。 凭借非外延结构和新的制造工艺,BiMO | |
IXBH5N160G | IXYS |
获取价格 |
High Voltage BIMOSFETTM | |
IXBH5N160G | LITTELFUSE |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, | |
IXBH6N170 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage, High Gain BIMOSFET⑩ Monolithic | |
IXBH6N170 | LITTELFUSE |
获取价格 |
BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。 凭借非外延结构和新的制造工艺,BiMO | |
IXBH9N140 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.4KV V(BR)CES | 9A I(C) | TO-247AD | |
IXBH9N140G | IXYS |
获取价格 |
High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor | |
IXBH9N160 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.6KV V(BR)CES | 9A I(C) | TO-247AD |