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IXBH42N170A

更新时间： 2024-11-18 03:00:43

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IXYS		晶体双极型晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	119K
描述
BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

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IXBH42N170A 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.64	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	42 A	集电极-发射极最大电压：	1700 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	350 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	420 ns	标称接通时间 (ton)：	63 ns
Base Number Matches：	1

IXBH42N170A 数据手册

Advance Technical Information

BIMOSFET^TMMonolithic

Bipolar MOS Transistor

V_CES= 1700 V

I_C25= 42 A

V_CE(sat)= 6.0 V

t_fi= 50 ns

IXBH 42N170A

IXBT 42N170A

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-268(IXBT)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

1700

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

120

TO-247AD(IXBH)

SSOA

= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 Ω

I_CM

C^Gla^Emped inductive load

V_CES

1350

C (TAB)

(RBSOA)

T_SC

= 15 V, V

= 1200V, T_J= 125°C

(SCSOA)

R^G_G^E= 10 Ω no^Cn^ESrepetitive

T_C= 25°C

µs

G = Gate,

C = Collector,

TAB = Collector

E=Emitter,

P_C

350

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

High Blocking Voltage

JEDEC TO-268 surface and

JEDEC TO-247 AD

Maximum Lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

350

°C

Fast switching

High current handling capability

MOS Gate turn-on

Maximum Tab temperature for soldering SMD devices for 10 s

260

°C

M_d

Mounting torque (M3)

1.13/10Nm/lb.in.

- drive simplicity

Molding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

Weight

TO-247 AD

TO-268

Applications

AC motor speed control

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Uninterruptible power supplies (UPS)

Switched-mode and resonant-mode

power supplies

Substitutes for high voltage MOSFETs

BV_CES

V_GE(th)

= 250 µA, V_GE= 0 V

1700

2.5

I^C_C= 750 µA, V_CE= V_GE

5.5

Advantages

Lower conduction losses than MOSFETs

I_CES

V_CE= 0.8 V_CES

V_GE= 0 V

T = 25°C

T_J^J= 125°C

50 µA

High power density

1.5 mA

Suitable for surface mounting

Easy to mount with 1 screw,

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100 nA

(isolated mounting screw hole)

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

4.5

5.0

6.0

T_J= 125°C

98939 (7/02)

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