Datasheet > IXBH42N170A

IXBH42N170A

更新时间： 2024-11-05 03:00:43

品牌	Logo	应用领域
IXYS		晶体双极型晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	119K
描述
BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXBH42N170A 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.64	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	42 A	集电极-发射极最大电压：	1700 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	350 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	420 ns	标称接通时间 (ton)：	63 ns
Base Number Matches：	1

IXBH42N170A 数据手册

Advance Technical Information

BIMOSFET^TMMonolithic

Bipolar MOS Transistor

V_CES= 1700 V

I_C25= 42 A

V_CE(sat)= 6.0 V

t_fi= 50 ns

IXBH 42N170A

IXBT 42N170A

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-268(IXBT)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

1700

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

120

TO-247AD(IXBH)

SSOA

= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 Ω

I_CM

C^Gla^Emped inductive load

V_CES

1350

C (TAB)

(RBSOA)

T_SC

= 15 V, V

= 1200V, T_J= 125°C

(SCSOA)

R^G_G^E= 10 Ω no^Cn^ESrepetitive

T_C= 25°C

µs

G = Gate,

C = Collector,

TAB = Collector

E=Emitter,

P_C

350

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

High Blocking Voltage

JEDEC TO-268 surface and

JEDEC TO-247 AD

Maximum Lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

350

°C

Fast switching

High current handling capability

MOS Gate turn-on

Maximum Tab temperature for soldering SMD devices for 10 s

260

°C

M_d

Mounting torque (M3)

1.13/10Nm/lb.in.

- drive simplicity

Molding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

Weight

TO-247 AD

TO-268

Applications

AC motor speed control

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Uninterruptible power supplies (UPS)

Switched-mode and resonant-mode

power supplies

Substitutes for high voltage MOSFETs

BV_CES

V_GE(th)

= 250 µA, V_GE= 0 V

1700

2.5

I^C_C= 750 µA, V_CE= V_GE

5.5

Advantages

Lower conduction losses than MOSFETs

I_CES

V_CE= 0.8 V_CES

V_GE= 0 V

T = 25°C

T_J^J= 125°C

50 µA

High power density

1.5 mA

Suitable for surface mounting

Easy to mount with 1 screw,

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100 nA

(isolated mounting screw hole)

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

4.5

5.0

6.0

T_J= 125°C

98939 (7/02)

中文翻译

下载PDF

与IXBH42N170A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXBH42N250	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBH5N160G	IXYS	获取价格	High Voltage BIMOSFETTM
IXBH5N160G	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXBH6N170	IXYS	获取价格	High Voltage, High Gain BIMOSFET⑩ Monolithic
IXBH6N170	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBH9N140	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1.4KV V(BR)CES \| 9A I(C) \| TO-247AD
IXBH9N140G	IXYS	获取价格	High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBH9N160	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1.6KV V(BR)CES \| 9A I(C) \| TO-247AD
IXBH9N160G	IXYS	获取价格	High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBH9N160G	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO

与IXBH42N170A相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXBH42N170A

IXBH42N170A 技术参数

IXBH42N170A 数据手册

与IXBH42N170A相关器件

与IXBH42N170A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXBH42N170A

IXBH42N170A 技术参数

IXBH42N170A 数据手册

与IXBH42N170A相关器件

与IXBH42N170A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？