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IXBH2N250

更新时间： 2024-09-15 20:50:15

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网栅瞄准线功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	237K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 5A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3 PIN

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IXBH2N250 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	TO-247, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	8.46	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	2500 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	32 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	252 ns
标称接通时间 (ton)：	310 ns	Base Number Matches：	1

IXBH2N250 数据手册

Preliminary Technical Information

High Voltage, High Gain

V_CES= 2500V

I_C110= 2A

IXBH2N250

IXBT2N250

BIMOSFET^TM

V_CE(sat) 3.80V

Monolithic Bipolar MOS

Transistor

TO-268 (IXBT)

Symbol

V_CES

Test Conditions

Maximum Ratings

C (Tab)

T_C= 25°C to 150°C

2500

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1M

TO-247 (IXBH)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

C (Tab)

SSOA

(RBSOA)

P_C

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 47

Clamped Inductive Load

T_C= 25°C

I_CM= 6

V_CE 2000

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

G = Gate

E = Emitter

= Collector

T_J

-55 ... +150

150

°C

Tab = Collector

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



High Blocking Voltage

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13 / 10

Nm/lb.in

^Integrated Anti-parallel Diode

^International Standard Packages

^Low Conduction Losses

Weight

TO-247

TO-268

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^Low Gate Drive Requirement

^High Power Density

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_CES

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

2500

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= 0.8 • V_CES, V_GE= 0V

3.0

5.5

Applications

10 A

T_J= 125C

100 μA

^Switched-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

100 nA

^Uninterruptible Power Supplies (UPS)

^Laser Generator

V_CE(sat)

I_C= 2A, V_GE= 15V, Note 1

3.15

4.08

3.80

^Capacitor Discharge Circuit

^AC Switches

DS100160A(8/17)

12 3 4 5

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