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IXBH32N300

更新时间： 2024-11-06 14:56:19
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 双极性晶体管高压二极管
页数 文件大小 规格书
6页 200K
描述
BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。 凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMOSFET大获成功。这种高压器件是并联的理想选择，因为饱和电压和本征二极管的正向压降均具有正电压温度系数。

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IXBH32N300 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.68
Base Number Matches：1

IXBH32N300 数据手册

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Preliminary Technical Information  
High Voltage, High Gain  
VCES = 3000V  
IC110 = 32A  
VCE(sat) ≤ 3.2V  
IXBH32N300  
IXBT32N300  
BIMOSFETTM Monolithic  
Bipolar MOS Transistor  
TO-247 (IXBH)  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
TC = 25°C to 150°C  
3000  
3000  
V
V
G
C (TAB)  
TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ  
C
E
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
± 20  
± 30  
V
V
IC25  
IC110  
ICM  
TC = 25°C  
TC = 110°C  
TC = 25°C, 1ms  
80  
32  
280  
A
A
A
TO-268 (IXBT)  
SSOA  
(RBSOA)  
V
GE = 15V, TVJ = 125°C, RG = 10Ω  
ICM = 80  
VCES ≤ 2400  
A
V
Clamped Inductive Load  
G
E
PC  
TC = 25°C  
400  
W
C (TAB)  
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
TJM  
Tstg  
G = Gate  
C
= Collector  
E = Emitter  
TAB = Collector  
-55 ... +150  
TL  
TSOLD  
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s  
Plastic Body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
Features  
Md  
Mounting Torque (TO-247)  
1.13/10  
Nm/lb.in.  
Weight  
TO-247  
TO-268  
6
4
g
g
z
High Blocking Voltage  
z International Standard Packages  
z Low Conduction Losses  
Advantages  
Symbol Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
z Low Gate Drive Requirement  
z High Power Density  
BVCES  
VGE(th)  
IC = 250μA, VGE = 0V  
IC = 250μA, VCE = VGE  
3000  
2.5  
V
V
5.0  
Applications:  
ICES  
VCE = 0.8 • VCES, VGE = 0V  
50 μA  
mA  
TJ = 125°C  
2
z Switched-Mode and Resonant-Mode  
Power Supplies  
IGES  
VCE = 0V, VGE = ± 20V  
±100 nA  
VCE(sat)  
IC = 32A, VGE = 15V, Note 1  
2.8  
3.5  
3.2  
V
V
z Uninterruptible Power Supplies (UPS)  
z Laser Generators  
TJ = 125°C  
z Capacitor Discharge Circuits  
z AC Switches  
© 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100118(02/09)  
123456

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与IXBH32N300相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXBH32N300HV LITTELFUSE

获取价格

 		BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。 凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBH40N140 IXYS

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 		High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor - N-Channel, Enhancement Mode
IXBH40N140A IXYS

获取价格

 		暂无描述
IXBH40N160 IXYS

获取价格

 		High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor - N-Channel, Enhancement Mode
IXBH40N160 LITTELFUSE

获取价格

 		BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。 凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBH40N160A IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD,
IXBH42N170 IXYS

获取价格

 		High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBH42N170 LITTELFUSE

获取价格

 		BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。 凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBH42N170A IXYS

获取价格

 		BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBH42N170A LITTELFUSE

获取价格

 		BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。 凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO

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