是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | TO-247AD | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.72 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | BIPOLAR MOS TRANSISTOR WITH COLLECTOR-EMITTER ON RESISTANCE OF 0.24 OHMS | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 33 A | 集电极-发射极最大电压: | 1400 V |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最大降落时间(tf): | 700 ns |
门极发射器阈值电压最大值: | 6 V | 门极-发射极最大电压: | 20 V |
JEDEC-95代码: | TO-247AD | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 300 W | 最大功率耗散 (Abs): | 300 W |
认证状态: | Not Qualified | 最大上升时间(tr): | 150 ns |
子类别: | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | MOTOR CONTROL |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称断开时间 (toff): | 310 ns |
标称接通时间 (ton): | 260 ns | VCEsat-Max: | 6 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXBH40N140A | IXYS |
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暂无描述 | |
IXBH40N160 | IXYS |
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High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor - N-Channel, Enhancement Mode | |
IXBH40N160 | LITTELFUSE |
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BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。 凭借非外延结构和新的制造工艺,BiMO | |
IXBH40N160A | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, | |
IXBH42N170 | IXYS |
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High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor | |
IXBH42N170 | LITTELFUSE |
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BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。 凭借非外延结构和新的制造工艺,BiMO | |
IXBH42N170A | IXYS |
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BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor | |
IXBH42N170A | LITTELFUSE |
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BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。 凭借非外延结构和新的制造工艺,BiMO | |
IXBH42N250 | LITTELFUSE |
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BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。 凭借非外延结构和新的制造工艺,BiMO | |
IXBH5N160G | IXYS |
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High Voltage BIMOSFETTM |