IXBH40N140A

更新时间： 2024-11-05 13:02:11

品牌	Logo	应用领域
IXYS		晶体晶体管电动机控制双极性晶体管高压栅局域网
页数	文件大小	规格书
4页	64K
描述
暂无描述

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXBH40N140A 数据手册

High Voltage BIMOSFET^TM

Monolithic Bipolar

IXBH 40N140 V_CES= 1400/1600V

IXBH 40N160 I_C25= 33 A

MOS Transistor

V_CE(sat)= 6.2 V typ.

N-Channel, Enhancement Mode

t_fi

= 40 ns

TO-247 AD

C (TAB)

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

Symbol

Conditions

Maximum Ratings

Features

40N140

40N160

• Internationalstandardpackage

JEDEC TO-247 AD

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1400

1600

• HighVoltageBIMOSFET^TM

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

- replaceshighvoltageDarlingtons

and series connected MOSFETs

- lower effective R_DS(on)

• Monolithicconstruction

- highblockingvoltagecapability

- very fast turn-off characteristics

• MOS Gate turn-on

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C,

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

- drive simplicity

• Intrinsicdiode

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 22 W V_CE= 0.8•V_CESI_CM= 40

Clamped inductive load, L = 100 mH

Applications

P_C

T_C= 25°C

350

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

T_L

-55 ... +150

300

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mounting torque

• CRTdeflection

• Lampballasts

M_d

1.15/10 Nm/lb.in.

Weight

Advantages

Symbol

BV_CES

Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

• Easy to mount with 1 screw

(isolatedmountingscrewhole)

• Space savings

min. typ. max.

• High power density

I_C= 1 mA, V_GE= 0 V

I_C= 2 mA, V_CE= V_GE

40N140

40N160

1400

1600

V_GE(th)

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

400 mA

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

± 500 nA

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

6.2

7.1

7.8

T_J= 125°C

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

1 - 4

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与IXBH40N140A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXBH40N160	IXYS	获取价格	High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor - N-Channel, Enhancement Mode
IXBH40N160	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBH40N160A	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD,
IXBH42N170	IXYS	获取价格	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBH42N170	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBH42N170A	IXYS	获取价格	BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBH42N170A	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBH42N250	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBH5N160G	IXYS	获取价格	High Voltage BIMOSFETTM
IXBH5N160G	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,

与IXBH40N140A相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXBH40N140A

IXBH40N140A 数据手册

与IXBH40N140A相关器件

与IXBH40N140A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXBH40N140A

IXBH40N140A 数据手册

与IXBH40N140A相关器件

与IXBH40N140A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？