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IRHNA7160PBF

更新时间： 2024-02-13 16:34:25

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
8页	110K
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Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 100V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMD2, 3 PIN

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IRHNA7160PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.21
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	51 A
最大漏源导通电阻：	0.045 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-CBCC-N3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	300 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	204 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRHNA7160PBF 数据手册

PD - 91396C

IRHNA7160

100V, N-CHANNEL

REF: MIL-PRF-19500/664

RAD-Hard^™HEXFET^®

MOSFETTECHNOLOGY

RADIATION HARDENED

POWER MOSFET

SURFACE MOUNT (SMD-2)

Product Summary

Part Number Radiation Level RDS(on)

QPL Part Number

IRHNA7160 100K Rads (Si)

IRHNA3160 300K Rads (Si)

IRHNA4160 600K Rads (Si)

0.04Ω

51A JANSR2N7432U

51A JANSF2N7432U

51A JANSG2N7432U

51A JANSH2N7432U

IRHNA8160 1000K Rads (Si) 0.04Ω

SMD - 2

International Rectifier’s RADHard HEXFET^®technol-

ogy provides high performance power MOSFETs for

space applications. This technology has over a de-

cade of proven performance and reliability in satellite

applications. These devices have been character-

ized for bothTotal Dose and Single Event Effects (SEE).

The combination of low Rdson and low gate charge

reduces the power losses in switching applications

such as DC to DC converters and motor control. These

devices retain all of the well established advantages

of MOSFETs such as voltage control, fast switching,

ease of paralleling and temperature stability of elec-

trical parameters.

Features:

Single Event Effect (SEE) Hardened

Low RDS(on)

Low Total Gate Charge

Proton Tolerant

Simple Drive Requirements

Ease of Paralleling

Hermetically Sealed

Surface Mount

Light Weight

Absolute Maximum Ratings

Pre-Irradiation

Parameter

Units

@ V

= 12V, T = 25°C

Continuous Drain Current

= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current

32.5

204

Pulsed Drain Current ➀

Max. Power Dissipation

@ T = 25°C

300

W/°C

Linear Derating Factor

2.4

Gate-to-Source Voltage

±20

Single Pulse Avalanche Energy ➀

Avalanche Current ➀

500

Repetitive Avalanche Energy ➀

Peak Diode Recovery dv/dt ➀

Operating Junction

V/ns

dv/dt

7.3

-55 to 150

Storage Temperature Range

^oC

STG

Pckg. Mounting Surface Temp.

Weight

300 ( for 5s)

3.3 (Typical)

For footnotes refer to the last page

www.irf.com

5/4/2000

12 3 4 5 6 7 8

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与IRHNA7160PBF相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRHNA7260	INFINEON	TRANSISTOR N-CHANNEL	获取价格
IRHNA7260SCS	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 200V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
IRHNA7260SESCSPBF	INFINEON	暂无描述	获取价格
IRHNA7260SESCV	INFINEON	Rad hard, 200V, 27A, single, N-channel MOSFET, R5 in a SMD-2 package - SMD-2, 100 krad(Si)	获取价格
IRHNA7264SE	INFINEON	TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=250V, Rds(on)=0.110ohm, Id=34A)	获取价格
IRHNA7264SEPBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 250V, 0.123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格

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