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IRHNA9160PBF PDF预览

IRHNA9160PBF

更新时间： 2024-11-25 06:32:43
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 875K
描述
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.071ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD2, 3 PIN

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IRHNA9160PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：CHIP CARRIER, R-CBCC-N3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.68雪崩能效等级（Eas）：500 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：38 A
最大漏极电流 (ID)：38 A最大漏源导通电阻：0.071 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-CBCC-N3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：300 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：152 A
参考标准：RH - 100K Rad(Si)表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：380 ns
最大开启时间（吨）：205 nsBase Number Matches：1

IRHNA9160PBF 数据手册

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PD-91433D  
IRHNA9160  
JANSR2N7425U  
100V, P-CHANNEL  
REF: MIL-PRF-19500/655  
RAD-Hard HEXFET TECHNOLOGY  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
SURFACE MOUNT (SMD-2)  
Product Summary  
Part Number  
IRHNA9160  
IRHNA93160  
Radiation Level  
100 kRads(Si)  
300 kRads(Si)  
RDS(on)  
0.068  
0.068  
ID  
QPL Part Number  
-38A  
-38A  
JANSR2N7425U  
JANSF2N7425U  
Description  
Features  
IRHNA9160 is part of the International Rectifier HiRel  
family of products. IR HiRel RAD-Hard HEXFET  
technology provides high performance power MOSFETs  
for space applications. This technology has over a decade  
of proven performance and reliability in satellite  
applications. These devices have been characterized for  
both Total Dose and Single Event Effects (SEE). The  
combination of low Rdson and low gate charge reduces  
the power losses in switching applications such as DC to  
DC converters and motor control. These devices retain all  
of the well established advantages of MOSFETs such as  
voltage control, fast switching, ease of paralleling and  
temperature stability of electrical parameters.  
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Identical Pre- and Post-Electrical Test Conditions  
Low RDS(on)  
Repetitive Avalanche Ratings  
Dynamic dv/dt Ratings  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Surface Mount  
Ceramic Package  
Light Weight  
ESD Rating: Class 3A per MIL-STD-750, Method 1020  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Pre-Irradiation  
Units  
-38  
ID @ VGS = -12V, TC = 25°C Continuous Drain Current  
ID @ VGS = -12V, TC = 100°C Continuous Drain Current  
-24  
-152  
300  
2.4  
A
IDM  
Pulsed Drain Current  
W
W/°C  
V
PD @TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
± 20  
500  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy   
Avalanche Current   
mJ  
A
-38  
30  
mJ  
V/ns  
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy   
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction and  
-17  
-55 to + 150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Package Mounting Surface Temperature  
Weight  
°C  
g
300 (for 5s)  
3.3 (Typical)  
For Footnotes refer to the page 2.  
1
2018-03-09  
International Rectifier HiRel Products, Inc.  
12345678

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