5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | HERMETIC SEALED, SMD-3, 3 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.76 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 500 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 51 A | 最大漏源导通电阻： | 0.045 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-CBCC-N3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 204 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRHNB4160PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 100V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRHNB4260 | INFINEON |
获取价格 |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT(SMD-3) |
|
| IRHNB4260PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 200V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRHNB4Z60 | INFINEON |
获取价格 |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT(SMD-3) |
|
| IRHNB7064 | INFINEON |
获取价格 |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT(SMD-3) |
|
| IRHNB7160 | INFINEON |
获取价格 |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-3) |
|
| IRHNB7260 | INFINEON |
获取价格 |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT(SMD-3) |
|
| IRHNB7264SE | INFINEON |
获取价格 |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-3) |
|
| IRHNB7360SE | INFINEON |
获取价格 |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-3) |
|
| IRHNB7360SEPBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
