IRHNJ4130PBF

更新时间： 2024-11-24 12:59:43

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IRHNJ4130PBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.7	雪崩能效等级（Eas）：	150 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	14.4 A
最大漏源导通电阻：	0.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-CBCC-N3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	58 A	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRHNJ4130PBF 数据手册

PD - 93820

IRHNJ7130

100V, N-CHANNEL

RADIATION HARDENED

POWER MOSFET

SURFACE MOUNT (SMD-0.5)

RAD-Hard^™HEXFET^®

MOSFET TECHNOLOGY

Product Summary

Part Number Radiation Level RDS(on)

IRHNJ7130 100K Rads (Si)

IRHNJ3130 300K Rads (Si)

IRHNJ4130 600K Rads (Si)

0.18Ω 14.4A

IRHNJ8130 1000K Rads (Si) 0.18Ω 14.4A

SMD-0.5

International Rectifier’s RAD-Hard^TMHEXFET^®MOSFET

technology provides high performance power MOSFETs

for space applications. This technology has over a de-

cade of proven performance and reliability in satellite

applications. These devices have been characterized

for both Total Dose and Single Event Effects (SEE). The

combination of low RDS(on) and low gate charge reduces

the power losses in switching applications such as DC

to DC converters and motor control. These devices re-

tain all of the well established advantages of MOSFETs

such as voltage control, fast switching, ease of parallel-

ing and temperature stability of electrical parameters.

Features:

Single Event Effect (SEE) Hardened

Low RDS(on)

Low Total Gate Charge

Proton Tolerant

Simple Drive Requirements

Ease of Paralleling

Hermetically Sealed

Ceramic Package

Surface Mount

Light Weight

Absolute Maximum Ratings

Pre-Irradiation

Parameter

Units

@ V

= 12V, T = 25°C

Continuous Drain Current

14.4

= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current

9.1

Pulsed Drain Current ➀

Max. Power Dissipation

Linear Derating Factor

@ T = 25°C

W/°C

0.6

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy

Avalanche Current ➀

±20

150 ➁

14.4

Repetitive Avalanche Energy ➀

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction

7.5

V/ns

dv/dt

6.0 ➂

-55 to 150

Storage Temperature Range

^oC

STG

Pckg. Mounting Surface Temp.

Weight

300 (for 5s)

1.0 (Typical)

For footnotes refer to the last page

www.irf.com

2/4/00

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRHNJ4130SCS	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IRHNJ4230	INFINEON	获取价格	RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5)
IRHNJ53034	INFINEON	获取价格	RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5)
IRHNJ53034PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRHNJ53130	INFINEON	获取价格	RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5)
IRHNJ53230	INFINEON	获取价格	RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5)
IRHNJ53Z30	INFINEON	获取价格	RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5)
IRHNJ53Z30PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRHNJ54034	INFINEON	获取价格	RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5)
IRHNJ54034PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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