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IRHNJ54034PBF

更新时间： 2024-11-06 20:02:19
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 186K
描述
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-0.5, 3 PIN

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IRHNJ54034PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：CHIP CARRIER, R-CBCC-N3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.7雪崩能效等级（Eas）：100 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：22 A
最大漏源导通电阻：0.03 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-CBCC-N3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：88 A表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRHNJ54034PBF 数据手册

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ꢁ
PD-93752F  
IRHNJ57034  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
SURFACE MOUNT (SMD-0.5)  
JANSR2N7480U3  
60V, N-CHANNEL  
REF: MIL-PRF-19500/703  
TECHNOLOGY  
5
™
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
QPL Part Number  
IRHNJ57034 100K Rads (Si)  
IRHNJ53034 300K Rads (Si)  
IRHNJ54034 500K Rads (Si)  
IRHNJ58034 1000K Rads (Si)  
0.030Ω 22A* JANSR2N7480U3  
0.030Ω 22A* JANSF2N7480U3  
0.030Ω 22A* JANSG2N7480U3  
0.038Ω  
22A* JANSH2N7480U3  
SMD-0.5  
International Rectifier’s R5TM technology provides  
high performance power MOSFETs for space  
applications. These devices have been characterized  
for Single Event Effects (SEE) with useful performance  
up to an LET of 80 (MeV/(mg/cm2)). The combination  
of low Rdson and low gate charge reduces the power  
losses in switching applications such as DC to DC  
converters and motor control. These devices retain  
all of the well established advantages of MOSFETs  
such as voltage control, fast switching, ease of  
paralleling and temperature stability of electrical  
parameters.  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Ultra low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Surface Mount  
Ceramic Package  
Light Weight  
ESD Rating: Class 1C per MIL-STD-750,  
Method 1020  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
22*  
21  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
88  
DM  
@ T = 25°C  
P
D
75  
W
W/°C  
V
C
Linear Derating Factor  
0.6  
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
±20  
100  
22  
GS  
E
mJ  
A
AS  
I
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
7.5  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
10  
T
-55 to 150  
J
oC  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
Pckg. Mounting Surface Temp.  
Weight  
300 (for 5s)  
1.0 (Typical)  
* Current is limited by package  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
03/12/13  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		暂无描述
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