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IRHNA9260

更新时间： 2024-02-21 23:04:26

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RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2)

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IRHNA9260 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-2, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.72
其他特性：	RADIATION HARDENED	雪崩能效等级（Eas）：	500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (ID)：	29 A
最大漏源导通电阻：	0.159 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-CBCC-N3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	116 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRHNA9260 数据手册

PD - 93969

IRHNA9260

JANSR2N7426U

200V,P-CHANNEL

RADIATION HARDENED

POWER MOSFET

SURFACE MOUNT (SMD-2)

Product Summary

REF: MIL-PRF-19500/655

RAD-Hard^™HEXFET^®TECHNOLOGY

Part Number Radiation Level

IRHNA9260 100K Rads (Si)

IRHNA93260 300K Rads (Si)

RDS(on)

QPL Part Number

0.154Ω -29A JANSR2N7426U

0.154Ω -29A JANSF2N7426U

SMD-2

International Rectifier’s RAD-Hard^TMHEXFET^®

MOSFET technology provides high performance

power MOSFETs for space applications. This tech-

nology has over a decade of proven performance

and reliability in satellite applications. These de-

vices have been characterized for both Total Dose

and Single Event Effects (SEE). The combination

of low RDS(on) and low gate charge reduces the

power losses in switching applications such as DC

to DC converters and motor control. These de-

vices retain all of the well established advantages

of MOSFETs such as voltage control, fast switch-

ing, ease of paralleling and temperature stability

of electrical parameters.

Features:

n Single Event Effect (SEE) Hardened

n Ultra Low RDS(on)

n Low Total Gate Charge

n Proton Tolerant

n Simple Drive Requirements

n Ease of Paralleling

n Hermetically Sealed

n Surface Mount

n Ceramic Package

n Light Weight

Absolute Maximum Ratings

Pre-Irradiation

Parameter

Units

@ V

= -12V, T = 25°C

Continuous Drain Current

-29

= -12V, T = 100°C Continuous Drain Current

-18

-116

300

Pulsed Drain Current ➀

@ T = 25°C

Max.Power Dissipation

W/°C

Linear Derating Factor

2.4

Gate-to-SourceVoltage

±20

Single Pulse Avalanche Energy

Avalanche Current ➀

➀

500

-29

Repetitive Avalanche Energy ➀

Peak Diode Recovery dv/dt ➀

Operating Junction

V/ns

dv/dt

-20

-55 to 150

Storage Temperature Range

^oC

STG

Pckg. Mounting Surface Temp.

Weight

300 (for 5s)

3.3 (Typical)

For footnotes refer to the last page

www.irf.com

11/21/00

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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IRHNA93160D	INFINEON	Rad hard, -100V, -38A, single, P-channel MOSFET, R4 in a SMD-2 package - SMD-2, 300 krad(S	获取价格
IRHNA93160SCSD	INFINEON	Rad hard, -100V, -38A, single, P-channel MOSFET, R4 in a SMD-2 package - SMD-2, 300 krad(S	获取价格
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