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IRHNA8Z60

更新时间： 2024-02-10 20:54:20

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
8页	125K
描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT(SMD-2)

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IRHNA8Z60 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.38
其他特性：	HIGH RELIABILITY	雪崩能效等级（Eas）：	500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	75 A
最大漏源导通电阻：	0.009 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-CBCC-N3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRHNA8Z60 数据手册

PD - 91708B

RADIATION HARDENED

POWER MOSFET

SURFACE MOUNT(SMD-2)

IRHNA7Z60

30V, N-CHANNEL

RAD-Hard^™HEXFET^®TECHNOLOGY

Product Summary

Part Number Radiation Level

RDS(on)

IRHNA7Z60

IRHNA3Z60

IRHNA4Z60

100K Rads (Si) 0.009Ω 75*A

300K Rads (Si) 0.009Ω 75*A

600K Rads (Si) 0.009Ω 75*A

IRHNA8Z60 1000K Rads (Si) 0.009Ω 75*A

SMD-2

International Rectifier’s RADHard HEXFET^®technol-

ogy provides high performance power MOSFETs for

space applications. This technology has over a de-

cade of proven performance and reliability in satellite

applications. These devices have been character-

ized for bothTotal Dose and Single Event Effects (SEE).

The combination of low Rds(on) and low gate charge

reduces the power losses in switching applications

such as DC to DC converters and motor control. These

devices retain all of the well established advantages

of MOSFETs such as voltage control, fast switching,

ease of paralleling and temperature stability of elec-

trical parameters.

Features:

Single Event Effect (SEE) Hardened

Low RDS(on)

Low Total Gate Charge

Proton Tolerant

Simple Drive Requirements

Ease of Paralleling

Hermetically Sealed

Surface Mount

Ceramic Package

Light Weight

Absolute Maximum Ratings

Pre-Irradiation

Parameter

Units

@ V

= 12V, T = 25°C Continuous Drain Current

75*

@ V

= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current

75*

300

Pulsed Drain Current ➀

Max. Power Dissipation

@ T = 25°C

300

W/°C

Linear Derating Factor

2.4

Gate-to-Source Voltage

±20

Single Pulse Avalanche Energy ➀

Avalanche Current ➀

500

Repetitive Avalanche Energy ➀

Peak Diode Recovery dv/dt ➀

Operating Junction

V/ns

dv/dt

0.35

-55 to 150

Storage Temperature Range

^oC

STG

300 ( for 5 sec.)

3.3 (Typical )

Package Mounting Surface Temperature

Weight

For footnotes refer to the last page

*Current is limited by internal wire diameter

www.irf.com

12/18/01

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRHNA9064	INFINEON	TRANSISTOR P-CHANNEL(BVdss=-60V, Rds(on)=0.055ohm, Id=-48A)	获取价格
IRHNA9064PBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 60V, 0.048ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met	获取价格
IRHNA9064SCSPBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 60V, 0.048ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met	获取价格
IRHNA9160	INFINEON	TRANSISTOR P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.087ohm, Id=-38A)	获取价格
IRHNA9160_15	INFINEON	Simple Drive Requirements	获取价格
IRHNA9160D	INFINEON	Power Field-Effect Transistor,	获取价格

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