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IRHNA7264SEPBF PDF预览

IRHNA7264SEPBF

更新时间： 2024-11-24 21:18:43
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 121K
描述
Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 250V, 0.123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD-2, 3 PIN

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IRHNA7264SEPBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.7Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY雪崩能效等级（Eas）：500 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：250 V最大漏极电流 (ID)：34 A
最大漏源导通电阻：0.123 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-CDSO-N3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：136 A表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRHNA7264SEPBF 数据手册

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PD-91432C  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
IRHNA7264SE  
250V, N-CHANNEL  
SURFACE MOUNT (SMD-2) RAD Hard™ HEXFET® TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
IRHNA7264SE 100K Rads (Si) 0.11Ω  
ID  
34A  
SMD-2  
International Rectifier’s RADHardTM HEXFET® MOSFET  
technology provides high performance power MOSFETs  
for space applications. This technology has over a de-  
cade of proven performance and reliability in satellite  
applications. These devices have been characterized  
for both Total Dose and Single Event Effects (SEE). The  
combination of low RDS(on) and low gate charge reduces  
the power losses in switching applications such as DC to  
DC converters and motor control. These devices retain  
all of the well established advantages of MOSFETs such  
as voltage control, fast switching, ease of paralleling and  
temperature stability of electrical parameters.  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Ultra Low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Proton Tolerant  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Surface Mount  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C Continuous Drain Current  
34  
D
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
21  
136  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
DM  
@ T = 25°C  
P
300  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
2.4  
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
±20  
GS  
E
500  
mJ  
A
AS  
I
34  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
30  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
2.5  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Package Mounting Surface Temperature  
Weight  
300 (for 5 sec.)  
3.3 (Typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
5/31/01  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHNA7360SE INFINEON

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