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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRHNA7160PBF
IRHNA7160PBF PDF预览

IRHNA7160PBF

更新时间： 2024-01-15 08:04:14
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 110K
描述
Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 100V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMD2, 3 PIN

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IRHNA7160PBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.21
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：500 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：51 A
最大漏源导通电阻：0.045 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-CBCC-N3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：300 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：204 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRHNA7160PBF 数据手册

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Radiation Characteristics  
IRHNA7160  
International Rectifier Radiation Hardened MOSFETs are tested to verify their radiation hardness capability.  
The hardness assurance program at International Rectifier is comprised of two radiation environments.  
Every manufacturing lot is tested for total ionizing dose (per notes 5 and 6) using the TO-3 package. Both  
pre- and post-irradiation performance are tested and specified using the same drive circuitry and test  
conditions in order to provide a direct comparison.  
Table 1. Electrical Characteristics @Tj = 25°C, PostTotal Dose Irradiation ➀➀  
1
Parameter  
Min  
Drain-to-Source Breakdown Voltage 100  
100KRads(Si)  
600 to 1000K Rads (Si)2 Units  
Test Conditions  
Max  
Min  
Max  
BV  
—
4.0  
100  
-100  
25  
100  
1.25  
—
—
4.5  
100  
-100  
50  
V
= 0V, I = 1.0mA  
GS D  
= V , I = 1.0mA  
GS  
DS D  
DSS  
V
V
Gate Threshold Voltage  
➀
2.0  
—
—
—
—
V
GS(th)  
I
Gate-to-Source Leakage Forward  
Gate-to-Source Leakage Reverse  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Static Drain-to-Source  
On-State Resistance (TO-3)  
Static Drain-to-Source  
On-State Resistance (SMD-2)  
Diode Forward Voltage  
V
GS  
= 20V  
GSS  
nA  
I
—
V
GS  
= -20 V  
GSS  
I
—
µA  
V
V
=80V, V =0V  
DS GS  
DSS  
R
DS(on)  
➀
0.045  
—
0.062  
Ω
= 12V, I =32.5A  
D
GS  
R
DS(on)  
➀
—
—
0.04  
1.8  
—
—
0.057  
1.8  
Ω
V
= 12V, I =32.5A  
D
GS  
V
SD  
➀
V
V
= 0V, I = 51A  
GS S  
1. Part number IRHNA7160 (JANSR2N7432U)  
2. Part numbers IRHNA3160 (JANSF2N7432U), IRHNA4160 (JANSG2N7432U) and IRHNA8160 (JANSH2N7432U)  
International Rectifier radiation hardened MOSFETs have been characterized in heavy ion environment for  
Single Event Effects (SEE). Single Event Effects characterization is illustrated in Fig. a and Table 2.  
Ion  
LET  
MeV/(mg/cm2))  
28  
Energy  
(MeV)  
285  
Range  
VDS(V)  
(µm) @VGS=0V @VGS=-5V @VGS=-10V @VGS=-15V @VGS=-20V  
43  
39  
Cu  
Br  
100  
100  
100  
90  
100  
70  
80  
50  
60  
—
36.8  
305  
120  
100  
80  
60  
40  
20  
0
Cu  
Br  
0
-5  
-10  
-15  
-20  
-25  
VGS  
Fig a. Single Event Effect, Safe Operating Area  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
3
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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