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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRHNA7160PBF
IRHNA7160PBF PDF预览

IRHNA7160PBF

更新时间： 2024-02-19 18:42:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 110K
描述
Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 100V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMD2, 3 PIN

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IRHNA7160PBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.21
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：500 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：51 A
最大漏源导通电阻：0.045 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-CBCC-N3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：300 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：204 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRHNA7160PBF 数据手册

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Pre-Irradiation  
IRHNA7160  
10000  
20  
16  
12  
8
V
= 0V,  
f = 1MHz  
C SHORTED  
ds  
I
D
= 51A  
GS  
C
= C + C  
V
V
V
= 80V  
= 50V  
= 20V  
iss  
gs  
gd  
gd ,  
DS  
DS  
DS  
C
= C  
rss  
C
= C + C  
gd  
8000  
6000  
4000  
2000  
0
oss  
ds  
C
iss  
C
C
oss  
4
rss  
FOR TEST CIRCUIT  
SEE FIGURE 13  
0
1
10  
100  
0
40  
80  
120  
160  
200  
240  
280  
V
, Drain-to-Source Voltage (V)  
Q , Total Gate Charge (nC)  
G
DS  
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.  
Fig 5. Typical Capacitance Vs.  
Gate-to-SourceVoltage  
Drain-to-SourceVoltage  
1000  
1000  
100  
10  
OPERATION IN THIS AREA LIMITED  
BY R  
DS(on)  
100  
10  
1
100us  
°
T = 150 C  
J
1ms  
10ms  
°
T = 25 C  
J
°
T = 25 C  
C
°
T = 150 C  
Single Pulse  
J
V
= 0 V  
GS  
1
0.0  
0.5  
V
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
3.0  
3.5  
1
10  
100  
1000  
,Source-to-Drain Voltage (V)  
V
, Drain-to-Source Voltage (V)  
SD  
DS  
Fig 8. Maximum Safe Operating Area  
Fig 7. Typical Source-Drain Diode  
ForwardVoltage  
www.irf.com  
5
12345678

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