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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.21 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 500 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 51 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.045 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-CBCC-N3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 300 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 204 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRHNA7260 | INFINEON |
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TRANSISTOR N-CHANNEL |
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| IRHNA7260SCS | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 200V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRHNA7260SESCSPBF | INFINEON |
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暂无描述 |
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| IRHNA7260SESCV | INFINEON |
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Rad hard, 200V, 27A, single, N-channel MOSFET, R5 in a SMD-2 package - SMD-2, 100 krad(Si) |
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| IRHNA7264SE | INFINEON |
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TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=250V, Rds(on)=0.110ohm, Id=34A) |
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| IRHNA7264SEPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 250V, 0.123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRHNA7360SE | INFINEON |
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TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=400V, RdS(on)=0.20ohm, Id=24.3A) |
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| IRHNA7360SEPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 400V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRHNA7360SESCS | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 400V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRHNA7360SESCSA | INFINEON |
获取价格 |
Rad hard, 400V, 15A, single, N-channel MOSFET, R4 in a SMD-2 package - SMD-2, 100 krad(Si) |
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