IPB048N06LG

更新时间： 2024-09-14 03:44:19

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英飞凌 - INFINEON		/
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描述
OptiMOS㈢ Power-Transistor

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IPB048N06LG 数据手册

IPP048N06L G

Product Summary

IPB048N06L G

OptiMOS^®Power-Transistor

Features

V _DS

4.4

100

• For fast switching converters and sync. rectification

• N-channel enhancement - logic level

R _{DS(on),max SMDversion}

I _D

mΩ

• 175 °C operating temperature

• Avalanche rated

• Pb-free lead plating, RoHS compliant

Type

IPP048N06L

IPB048N06L

Package

Marking

P-TO220-3-1

048N06L

P-TO263-3-2

048N06L

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

T _C=25 °C¹⁾

I _D

Continuous drain current

100

400

810

T _C=100 °C

T _C=25 °C²⁾

I _D,pulse

Pulsed drain current

E _AS

I _D=100 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

I _D=100 A, V _DS=48 V,

di /dt =200 A/µs,

Reverse diode dv /dt

dv /dt

kV/µs

_j,max=175 °C

V _GS

Gate source voltage

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

300

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 175

55/175/56

¹⁾Current is limited by bondwire; with an R_thJC=0.5 the chip is able to carry 161A

²⁾See figure 3

Rev. 1.11

page 1

2006-04-20

12 3 4 5 6 7...10

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IPB048N06LG 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPD048N06L3G	INFINEON	类似代替	OptiMOS(TM)3 Power-Transistor

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