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IPB048N15N5ATMA1

更新时间： 2024-09-15 21:21:47

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	984K
描述
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 150V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2

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IPB048N15N5ATMA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	2.3	雪崩能效等级（Eas）：	230 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	150 V	最大漏极电流 (ID)：	120 A
最大漏源导通电阻：	0.0048 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	480 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPB048N15N5ATMA1 数据手册

IPB048N15N5

MOSFET

OptiMOS^ª5ꢀPower-Transistor,ꢀ150ꢀV

D²PAK

Features

•ꢀExcellentꢀgateꢀchargeꢀxꢀR_DS(on)ꢀproductꢀ(FOM)

•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀR_DS(on)

•ꢀ175ꢀ°Cꢀoperatingꢀtemperature

•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDEC¹⁾ꢀꢀforꢀtargetꢀapplication

•ꢀIdealꢀforꢀhigh-frequencyꢀswitchingꢀandꢀsynchronousꢀrectification

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Drain

Pin 2, Tab

Parameter

Value

Unit

V_DS

150

Gate

Pin 1

R_{DS(on),maxꢀ(TO263)}

I_D

4.8

mΩ

120

Source

Pin 3

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

IPB048N15N5

PG-TO 263

048N15N5

¹⁾J-STD20 and JESD22

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2016-02-05

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IPB048N15N5LFATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 150V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB049N06L3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS?3 Power-Transistor
IPB049N06L3GATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB049N08N5	INFINEON	获取价格	Infineon’s OptiMOS™ 5 80V industrial power MO
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