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IPB051NE8NGATMA1

更新时间： 2024-09-15 20:54:51

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英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	875K
描述
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 85V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3

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IPB051NE8NGATMA1 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	5.74
雪崩能效等级（Eas）：	826 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	85 V
最大漏极电流 (ID)：	100 A	最大漏源导通电阻：	0.0051 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPB051NE8NGATMA1 数据手册

IPB051NE8N G IPI05CNE8N G

IPP054NE8N G

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Product Summary

Features

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Type

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Package

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Parameter

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