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IPB065N06LG_10

更新时间: 2024-09-15 12:20:03
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英飞凌 - INFINEON 转换器开关
页数 文件大小 规格书
10页 420K
描述
OptiMOS™ Power-Transistor Features For fast switching converters and sync. rectification

IPB065N06LG_10 数据手册

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IPB065N06L G IPP065N06L G  
OptiMOSPower-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
60  
6.5  
80  
V
• For fast switching converters and sync. rectification  
• N-channel enhancement - logic level  
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
• 175 °C operating temperature  
• Avalanche rated  
• Pb-free lead plating, RoHS compliant  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
IPB065N06L G  
IPP065N06L G  
Package  
PG-TO263-3-2  
PG-TO220-3-1  
Marking  
065N06L  
065N06L  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
T C=25 °C1)  
I D  
Continuous drain current  
80  
80  
A
T C=100 °C  
T C=25 °C2)  
I D,pulse  
Pulsed drain current  
320  
530  
E AS  
I D=80 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
mJ  
I D=80 A, V DS=48 V,  
di /dt =200 A/µs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
T
j,max=175 °C  
V GS  
Gate source voltage  
±20  
V
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
250  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
-55 ... 175  
55/175/56  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
1) Current is limited by bondwire; with anR thJC=0.6 K/W the chip is able to carry 125 A.  
2) See figure 3  
Rev. 1.5  
page 1  
2010-01-18  

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