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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 1.63 | 雪崩能效等级（Eas）： | 780 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 150 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 100 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 100 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0072 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 400 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPI075N15N3G | INFINEON |
完全替代  |
OptiMOS?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) |
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| IPB072N15N3G | INFINEON |
完全替代 |
OptiMOS?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB073N15N5 | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌推出的 OptiMOS™5 150V 功率 MOSFET 特别适合叉车和电动脚踏车等 |
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| IPB075N04LG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS?3 Power-Transistor |
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| IPB075N04LGATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 40V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPB07N03L | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Buck converter series |
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| IPB080N03LG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS?3 Power-Transistor |
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| IPB080N06NG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢ Power-Transistor |
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| IPB080N06NG_10 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™ Power-Transistor Features Low gate c |
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| IPB081N06L3 G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS ? 60V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器 |
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| IPB081N06L3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMosTM3 Power-Transistor |
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| IPB083N10N3 G | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM |
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英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
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