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IPB096N03LG

更新时间: 2024-11-09 11:08:43
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10页 294K
描述
OptiMOS3 Power-Transistor

IPB096N03LG 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:D2PAK
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.81其他特性:AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas):40 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):35 A最大漏极电流 (ID):35 A
最大漏源导通电阻:0.0141 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-263ABJESD-30 代码:R-PSSO-G2
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):42 W最大脉冲漏极电流 (IDM):245 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IPB096N03LG 数据手册

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IPP096N03L G  
IPB096N03L G  
OptiMOS®3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
30  
9.6  
35  
V
• Fast switching MOSFET for SMPS  
• Optimized technology for DC/DC converters  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
R DS(on),max  
I D  
m:  
A
• N-channel, logic level  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• Avalanche rated  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
Type  
IPP096N03L G  
IPB096N03L G  
Package  
Marking  
PG-TO220-3  
096N03L  
PG-TO263-3  
096N03L  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V
V
V
GS=10 V, T C=25 °C  
Continuous drain current  
35  
35  
35  
A
GS=10 V, T C=100 °C  
GS=4.5 V, T C=25 °C  
V
GS=4.5 V,  
30  
T C=100 °C  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
I AS  
T C=25 °C  
245  
35  
Avalanche current, single pulse3)  
T C=25 °C  
E AS  
I D=12 A, R GS=25 :  
Avalanche energy, single pulse  
40  
mJ  
I D=35 A, V DS=24 V,  
di /dt =200 A/μs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/μs  
V
T
j,max=175 °C  
V GS  
Gate source voltage  
1) J-STD20 and JESD22  
20  
Rev. 1.02  
page 1  
2007-08-29  

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