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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.83 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 370 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 80 A | 最大漏极电流 (ID)： | 80 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0088 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 188 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 320 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPB80N06S3L-05 | INFINEON |
功能相似  |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
|
| NP80N06MLG-S18-AY | RENESAS |
功能相似 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| IPB77N06S3-09 | INFINEON |
功能相似 |
OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB093N04LG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS?3 Power-Transistor |
|
| IPB096N03LG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS3 Power-Transistor |
|
| IPB096N03LGATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0141ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPB097N08N3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™3 Power-Transistor Features Ideal for |
|
| IPB09N03LA | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS 2 Power-Transistor |
|
| IPB09N03LAG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
|
| IPB09N03LAGATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 25V, 0.0151ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPB09N03LAT | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS 2Power-Transistor |
|
| IPB09N09LA | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 25V, 0.0151ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPB100N04S2-04 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢ Power-Transistor |
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