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IPB100N06S3L-04

更新时间： 2024-01-18 01:45:49

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲
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OptiMOS-T Power-Transistor

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IPB100N06S3L-04 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.63
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	450 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	100 A	最大漏极电流 (ID)：	100 A
最大漏源导通电阻：	0.0059 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	214 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPB100N06S3L-04 数据手册

IPB100N06S3L-04

IPI100N06S3L-04, IPP100N06S3L-04

OptiMOS^®-T Power-Transistor

Product Summary

Features

V_DS

3.5

100

• N-channel - Logic Level - Enhancement mode

_DS(on),max(SMD version)

mΩ

• Automotive AEC Q101 qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

I _D

PG-TO263-3-2

PG-TO262-3-1

PG-TO220-3-1

• Green package (lead free)

• Ultra low Rds(on)

• 100% Avalanche tested

Type

Package

Ordering Code Marking

IPB100N06S3L-04

IPI100N06S3L-04

IPP100N06S3L-04

PG-TO263-3-2

PG-TO262-3-1

PG-TO220-3-1

SP0001-02219

SP0001-02211

SP0001-02209

3PN06L04

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

Continuous drain current¹⁾

I _D

T _C=25 °C, V_GS=10 V

T _C=100 °C,

100

400

450

_GS=10 V²⁾

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E_AS

T _C=25 °C

I _D=50 A

Avalanche energy, single pulse³⁾

Drain gate voltage²⁾

Gate source voltage⁴⁾

V_DG

±16

V_GS

P_tot

T _C=25 °C

Power dissipation

214

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... +175

55/175/56

Rev. 1.0

page 1

2006-03-14

12 3 4 5 6 7 8

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IPB100N06S3L-04 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPB100N06S3L-03	INFINEON	类似代替	OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPB100N06S3-03	INFINEON	类似代替	OptiMOS㈢-T Power-Transistor

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPB100N08S2-07	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB100N08S2L-07	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB100N10S3-05	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T Power-Transistor
IPB100N10S305ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IPB100N12S3-05	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IPB100N12S305ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 120V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
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IPB107N20N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
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