5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IPB100N08S2L-07
IPB100N08S2L-07 PDF预览

IPB100N08S2L-07

更新时间： 2024-01-08 20:17:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 155K
描述
OptiMOS㈢ Power-Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

IPB100N08S2L-07 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.66其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：810 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：75 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：100 A最大漏极电流 (ID)：100 A
最大漏源导通电阻：0.0087 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPB100N08S2L-07 数据手册

 浏览型号IPB100N08S2L-07的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPB100N08S2L-07的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPB100N08S2L-07的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPB100N08S2L-07的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPB100N08S2L-07的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPB100N08S2L-07的Datasheet PDF文件第7页 
IPB100N08S2L-07  
IPP100N08S2L-07  
OptiMOS® Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
VDS  
75  
6.5  
100  
V
• N-channel Logic Level - Enhancement mode  
R
DS(on),max (SMD version)  
mΩ  
A
• Automotive AEC Q101 qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green package (lead free)  
• Ultra low Rds(on)  
I D  
PG-TO263-3-2  
PG-TO220-3-1  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Ordering Code Marking  
IPB100N08S2L-07  
IPP100N08S2L-07  
PG-TO263-3-2  
PG-TO220-3-1  
SP0002-19053  
SP0002-19052  
PN08L07  
PN08L07  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Continuous drain current1)  
I D  
T C=25 °C, VGS=10 V  
T C=100 °C,  
100  
98  
A
V
GS=10 V2)  
Pulsed drain current2)  
Avalanche energy, single pulse2)  
Gate source voltage4)  
I D,pulse  
EAS  
T C=25 °C  
I D=80A  
400  
810  
mJ  
V
VGS  
±20  
Ptot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
300  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
-55 ... +175  
Rev. 1.0  
page 1  
2006-03-03  
12345678

中文翻译

下载PDF

IPB100N08S2L-07 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPB100N08S2-07 INFINEON

功能相似

 OptiMOS㈢ Power-Transistor
SPB100N08S2L-07 INFINEON

功能相似

 OptiMOS Power-Transistor
SPB100N08S2-07 INFINEON

功能相似

 OptiMOS Power-Transistor

与IPB100N08S2L-07相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPB100N10S3-05 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS-T Power-Transistor
IPB100N10S305ATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IPB100N12S3-05 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor
IPB100N12S305ATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 120V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IPB100P03P3L-04 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS-P Trench Power-Transistor
IPB107N20N3 G INFINEON

获取价格

 		英飞凌 200V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术，适合在 48V 系统、直流-
IPB107N20N3G INFINEON

获取价格

 		OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
IPB107N20N3G_10 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS 3 Power-Transistor
IPB107N20NA INFINEON

获取价格

 		英飞凌 200V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术，适合在 48V 系统、直流-
IPB107N20NAATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 200V, 0.0107ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

与IPB100N08S2L-07相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证