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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 1.59 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 280 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (ID)： | 100 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0024 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 400 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB100N06S2-05 | INFINEON |
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OptiMOS Power-Transistor |
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| IPB100N06S205ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IPB100N06S205ATMA4 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPB100N06S2L-05 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
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| IPB100N06S2L05ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IPB100N06S2L05ATMA2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPB100N06S3-03 | INFINEON |
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OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
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| IPB100N06S3-03_07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
|
| IPB100N06S3-04 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
|
| IPB100N06S3L-03 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
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