型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPB107N20NA | INFINEON |
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英飞凌 200V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术,适合在 48V 系统、直流- | |
IPB107N20NAATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 200V, 0.0107ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPB108N15N3 G | INFINEON |
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与次优竞品相比,150V OptiMOS™ R DS(on) 降低 40%,品质因数 (F | |
IPB108N15N3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) | |
IPB108N15N3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 150V, 0.0108ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPB10N03L | INFINEON |
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OptiMOS Buck converter series | |
IPB10N03LB | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor | |
IPB110N06LG | INFINEON |
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OptiMOS㈢ Power-Transistor | |
IPB110N20N3LF | INFINEON |
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OptiMOS™线性FET是一种全新方法,实现了增强型MOSFET饱和区域内的导通电阻(R | |
IPB110P06LM | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |