是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 16 weeks | 风险等级: | 5.72 |
雪崩能效等级(Eas): | 75 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (ID): | 120 A | 最大漏源导通电阻: | 0.003 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-263AB |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 480 A | 参考标准: | AEC-Q101 |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPB120N04S3-02 | INFINEON |
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OptiMOS-T Power-Transistor | |
IPB120N04S4-01 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor | |
IPB120N04S4-02 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor | |
IPB120N04S4-04 | INFINEON |
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车规级MOSFET | |
IPB120N04S4L-02 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPB120N04S4L02ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPB120N06NG | INFINEON |
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OptiMOS㈢ Power-Transistor | |
IPB120N06NG_10 | INFINEON |
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OptiMOS Power-Transistor | |
IPB120N06S4-02 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor | |
IPB120N06S402ATMA2 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |