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IPB120N06S4-02

更新时间： 2024-11-18 05:39:23

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英飞凌 - INFINEON		/
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OptiMOS-T2 Power-Transistor

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IPB120N06S4-02 数据手册

IPB120N06S4-02

IPI120N06S4-02, IPP120N06S4-02

OptiMOS^®-T2 Power-Transistor

Product Summary

V_DS

2.4

120

_DS(on),max(SMD version)

mΩ

I _D

Features

PG-TO263-3-2

PG-TO262-3-1

PG-TO220-3-1

• N-channel - Enhancement mode

• AEC qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green Product (RoHS compliant)

• 100% Avalanche tested

Type

Package

Marking

4N0602

IPB120N06S4-02

IPI120N06S4-02

IPP120N06S4-02

PG-TO263-3-2

PG-TO262-3-1

PG-TO220-3-1

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

Continuous drain current¹⁾

I _D

T _C=25°C, V_GS=10V

120

T _C=100°C, V_GS=10V²⁾

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E_AS

T _C=25°C

I _D=60A

480

560

120

±20

188

Avalanche energy, single pulse²⁾

Avalanche current, single pulse

Gate source voltage

I _AS

V_GS

P_tot

T _C=25°C

Power dissipation

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... +175

55/175/56

°C

Rev. 1.2

page 1

2009-07-01

12 3 4 5 6 7...9

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IPB120N06S4-02 替代型号

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IPB60R380C6	INFINEON	功能相似	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

与IPB120N06S4-02相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IPB120N06S4-03	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPB120N06S4-H1	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPB120N06S4H1ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB120N06S4H1ATMA2	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
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