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IPB136N08N3G

更新时间: 2024-11-18 21:19:27
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英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 1019K
描述
Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 80V, 0.0136ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3

IPB136N08N3G 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:D2PAK
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.74雪崩能效等级(Eas):50 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:80 V最大漏极电流 (Abs) (ID):45 A
最大漏极电流 (ID):45 A最大漏源导通电阻:0.0136 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-263AB
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):79 W最大脉冲漏极电流 (IDM):180 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IPB136N08N3G 数据手册

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IPP139N08N3 G IPI139N08N3 G  
IPB136N08N3 G  
"%&$!"#3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
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Type  
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Package  
Marking  
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Maximum ratings, 1D T V   Tꢁ  E><5CC ? D85BG9C5 C@53 96954  
Value  
Parameter  
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