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IPB160N04S2L-03

更新时间: 2024-01-08 01:30:29
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页数 文件大小 规格书
8页 153K
描述
OptiMOS㈢ - T Power-Transistor

IPB160N04S2L-03 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-263
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.24Is Samacsys:N
其他特性:AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级(Eas):810 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:40 V最大漏极电流 (Abs) (ID):160 A
最大漏极电流 (ID):160 A最大漏源导通电阻:0.0037 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-263
JESD-30 代码:R-PSSO-G6湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:6
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):640 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IPB160N04S2L-03 数据手册

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IPB160N04S2L-03  
OptiMOS® - T Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
40  
2.7  
160  
V
• N-channel Logic Level - Enhancement mode  
• Automotive AEC Q101 qualified  
R DS(on),max  
I D  
m  
A
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green package (lead free)  
• Ultra low Rds(on)  
PG-TO263-7-3  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Ordering Code Marking  
SP0002-18153 P2N04L03  
IPB160N04S2L-03  
PG-TO263-7-3  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
Continuous drain current  
160  
160  
A
T C=100 °C2)  
T C=25 °C  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
640  
I D=80 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
810  
mJ  
V
V GS  
±20  
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
300  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 175  
55/175/56  
Rev. 1.0  
page 1  
2006-03-02  

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