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IPB160N04S203ATMA1

更新时间： 2024-01-30 10:40:02

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	147K
描述
Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.0029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263, GREEN, PLASTIC PACKAGE-7/6

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IPB160N04S203ATMA1 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	5.61
其他特性：	ULTRA-LOW RESISTANCE	雪崩能效等级（Eas）：	810 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (ID)：	160 A
最大漏源导通电阻：	0.0029 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263	JESD-30 代码：	R-PSSO-G6
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	640 A
参考标准：	AEC-Q101	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPB160N04S203ATMA1 数据手册

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IPB160N04S2-03

OptiMOS^®- T Power-Transistor

Product Summary

Features

V _DS

2.9

160

• N-channel - Enhancement mode

• Automotive AEC Q101 qualified

R _DS(on),max

I _D

mΩ

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green package (lead free)

• Ultra low Rds(on)

PG-TO263-7-3

• 100% Avalanche tested

Type

Package

Ordering Code Marking

SP0002-18151 P2N0403

IPB160N04S2-03

PG-TO263-7-3

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _C=25 °C

Continuous drain current

160

T _C=100 °C²⁾

T _C=25 °C

I _D=80A

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

640

Avalanche energy, single pulse

Gate source voltage

810

V _GS

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

300

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 175

55/175/56

Rev. 1.0

page 1

2006-03-02

12 3 4 5 6 7 8

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IPB160N04S203ATMA1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPB160N04S203ATMA4	INFINEON	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.0029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

与IPB160N04S203ATMA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPB160N04S203ATMA4	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.0029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB160N04S2L-03	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢ - T Power-Transistor
IPB160N04S2L03ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB160N04S3-H2	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T Power-Transistor
IPB160N04S4-H1	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPB160N04S4H1ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB160N04S4L-H1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.0015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB160N04S4LH1ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.0015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB160N08S4-03	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 80V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB160N08S403ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 80V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

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